任务

名称

基于忆阻器的高能效存算一体电路

任务

依托单位

集成芯片与系统全国重点实验室

任务

负责人

陈迟晓

招聘

岗位

专任副研究员

招聘

人数

1

岗位

职责

负责混合精度存算一体芯片开发，具体包括：

1.根据任务需求，完成高能效存算电路的读出与互连电路等工作。

2.完成高速数模混合电路的版图设计与仿真验证，并流片。

3.协助实验室管理、项目申报、专利撰写等工作。

招聘

条件

1.拥护党和国家的各项方针政策，遵守法律法规，品行端正；身体健康，心理素质良好；爱岗敬业，恪守学术规范和职业道德。

2.具有微电子、电子信息工程等相关专业博士学位。

3.首次聘用时年龄一般在40周岁以下。

4.具有副高级专业技术职务任职资格或海外人员达到相应水平。

5.具有模拟电路、流片开发经历、熟练掌握EDA（Synopsys/Cadence/Xilinx）工具者优先。

招聘

范围

校内、外

岗位

待遇

1.与学校签订劳动合同，可申请租赁学校周转性教师公寓。

2.提供有市场竞争力的薪资待遇和优越的科研环境。

3.符合相关条件的，可按照学校规定申请子女入托入学。

应聘

程序

1.应聘者发送个人简历（包括学习研究经历、发表论文列表、既往研究成果、未来研究计划等）至cxchen@fudan.edu.cn。

2.择优安排面试。

3.拟聘用者报学校审批。

联系

方式

联系人：陈老师

邮箱：cxchen@fudan.edu.cn

办公电话：021-31242709

截止

日期

2025年8月31日

备注

订立聘用合同或者劳动合同以前有下列情形的，不予录用：

（1）受过刑事处罚、行政拘留处罚，或者因涉嫌违法正在接受有关部门调查，尚未作出结论的；

（2）受到党（团）纪、政纪处分，处分尚未解除，或者因涉嫌违纪正在接受有关单位调查，尚未作出结论的；

（3）违反高等学校教师职业行为规范的；

（4）在应聘过程中违背诚实信用或者社会公序良俗的；

（5）其他不符合聘用条件的情形。