招聘12人1个岗位
河南省科学院半导体研究所2026年高层次人才招聘简章
河南省科学院半导体研究所位于河南省郑州市管城区回族区汉月街26号中原量子谷，是河南省科学院于2023年6月依托重电重振机制设立的新型研发机构，属于二类公益事业单位。
研究面向国家半导体科技自主发展战略和河南省关于半导体行业产业布局规划，聚焦新型半导体材料、新型量子器件、半导体激光器、芯片集成与半导体装备国产化等关键方向，构建了“基础研究-技术攻关-成果转化”一体化的全链条创新体系。一方面，我们以前沿理论创新与重大技术攻关为主线，开展系统性、前瞻性的基础科学研究，致力于突破关键核心技术瓶颈；另一方面，我们紧密对接省内半导体企业在生产研发中的实际需求，组织定向科技攻关，并通过建立概念验证中心、中试孵化平台和产学研联合实验室等机制，主动推进技术熟化与成果落地，旨在将创新成果高效转化为支撑产业发展的现实生产力。
在队伍建设方面，研究所构建了以战略发展科学家、首席科学家和领域科学家为引领，专兼职结合、长短期协同的多层次人才体系，并积极与国内外科研机构建立战略合作、资源共享与项目协同等多层次合作关系，致力于建设成为河南省乃至全国半导体领域的技术创新策源地、高层次人才聚集地与高水平学术交流平台。
招聘岗位及待遇
（一）高层次人才
| 岗位 | 任职要求 | 相关待遇 |
|---|---|---|
| 首席科学家、 特聘研究员 |
国际一流人才/ 国内一流人才/ 省内一流人才/ 青年拔尖人才 |
提供相对优厚、能使其潜心致研的薪酬待遇、科研启动经费、免租专家公寓和购房补贴、以及满足需求的良好的办公环境和实验空间，大力支持团队建设，协助解决子女入学、配偶工作。 备注：高层次人才相关待遇采用一人一议原则。 |
（二）优秀博士、博士后
1.岗位要求
| 岗位 | 专业要求 | 岗位研究方向 | 招聘人数 |
|---|---|---|---|
| 科研岗位 | 物理学（0702），化学（0703），光学工程（0803），仪器科学与技术（0804），材料科学与工程；新型半导体材料（0805），电子科学性调控与器件设计；集成与技术（0809），集成光子、光电软件设计信息与通信工程和软件开发；硅基、与工程（0810），控制科学与工程（0811），五族半导体光电子器件与工程（0835），光通信、光信息器件；智能化光谱子信息（0854），仪器和传感器开发，精密科与化工（0856），仪器设计及制造；光集成电路科学与工程（1401），纳米科学与工程（1406） | 从事二维器件、自旋电子器件、新型信息器件、新型半导体材料、量子计算等方面的研究 | 12 |
2.具体方向
（1）集成光子/光电软件设计和软件开发
1)熟悉光学材料、器件物理模型、版图设计、布线、链路仿真（DRC/LVS/PEX）等EDA软件开发；
2)熟悉Comsol，FDTD等物理仿真软件，或者硅光器件设计及仿真常用工具，具备EDA软件使用经验优先；
3)熟悉几何光学、物理光学和导波光学，硅光器件模型的开发与维护，包括模型构建、参数提取和验证；
4)熟练使用Python、C/C++等工具，熟悉软件开发和测试、数据结构、机器学习的基本理论和常用算法；
5)有很好的自学能力，善于学习和钻研最新研究成果；有EDA/PDA工具开发经验优先。
（2）硅基/III-V族半导体光电子器件异质集成
1)硅基光子器件与模块的设计与表征；
2)InP基光电子器件设计、制备及表征；
3)硅基-ⅢⅤ异质集成；
4)铌酸锂调制器、等离激元调制器等研发；
5)碳化硅、氮化硅片上光频梳光源研制；
6)硅光芯片的光路设计与测试、耦合技术开发。
（3）光通信/光信息器件研究
1)从事光通信、高速光器件或光模块、先进封装等方向研究；
2)熟悉信号通信、传输、处理、测试；
3)熟悉配套的FPGA、ASIC数字/模拟电路设计，硅光器件封装的光学、电学设计和测试；
4)熟悉晶圆级封装工艺、2.5D/3D先进集成工艺；
5)实现硅光封装测试设备自动控制，使用Labview,C++等编程实现自动耦合及测试，具备较强的动手能力。
（4）精密仪器设计及制造
1)表面增强红外、拉曼、荧光光谱学中的材料、器件、仪器开发研制；
2)小型化、智能化光谱仪和传感器开发；
3)了解集成电路、微纳传感器设计原理；熟悉MEMS工艺制程、嵌入式板级电路的设计与调试；熟悉电气自动化及编程者优先。
（5）二维材料与器件方向
1)二维材料：熟悉二维材料制备转移及表征方法，掌握微纳加工技术，具备FET、光电探测器等器件制备经验，熟练使用电学测试设备及器件物理分析；
2)自旋电子器件：熟悉自旋电子学基本理论及磁隧道结、SOT等效应，掌握磁性薄膜制备与磁学表征技术，具备自旋阀、磁存储或自旋逻辑器件设计测试经验；
3)新型器件：熟悉神经形态计算、存算一体等新型架构，掌握铁电/铁磁/相变/离子调控材料体系之一，具备忆阻器、铁电晶体管或突触器件制备经验，能开展脉冲及可靠性测试，有器件建模或阵列集成经验者优先；
4)新型半导体材料物性调控与器件设计：熟悉二维/宽禁带/超宽禁带半导体材料，掌握第一性原理计算或多物理场仿真，能开展掺杂、应变、缺陷等调控研究，结合计算与实验提出新器件结构，有机器学习辅助筛选或高通量计算经验者优先。
薪酬待遇
进入省直事业编制。
在聘期内，15-35万元的年薪；同时享受我院科研绩效奖励，上不封顶。
提供20-30万元的安家费，符合条件人员可享受三年免费人才公寓。
子女的教育，将按郑州市相关政策执行。
提供20-50万元科研启动经费。
协助解决子女入学、配偶工作。
享受郑州市人才补贴和购房补贴政策。
人才具有良好发展潜力、培养，突出的优秀青年人才，将多渠道给予经费支持，逐步培养成学术技术带头人。
特别优秀的人才可一人一议。
招聘对象和条件
应聘人员必须具备的基本条件
具有中华人民共和国国籍；
遵守宪法和法律，具有良好的政治素质和道德品行；
具有符合岗位要求的专业知识或技能；
具备正常履行职责的身体、条件；
已取得硕士研究生及以上学历学位证书（国（境）外学历学位需取得教育部留学服务中心出具的学历学位认证书）；
年龄一般不超过38周岁（1987年5月1日及以后出生），特别优秀的可放宽至43周岁（1982年5月1日及以后出生）。
报名方式
采用网上报名方式，应聘人员可登录我院报名岗位要求的各个岗位，应聘人员上传个人简历及有关支撑材料。
联系邮箱：@has.ac.cn
联系电话：0371-61768600
