ScAlN化合物材料生长与微结构调控团队负责人樊士钊，获中国科学院“率先行动”引才计划支持。中国科学技术大学学士，麦吉尔大学(McGillUniversity)博士，美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校(UIUC)博士后，长期致力于III-V族化合物半导体材料外延生长与器件结构研究，独立建成一套4英寸晶圆级分子束外延（MBE）系统，深耕稀土掺杂/合金化氮化物材料外延与光电器件研究。相关成果发表于Adv.EnergyMater.、CellRep.Phys.Sci.、Appl.Phys.Lett.等期刊40余篇，授权专利2项，主持国家自然科学基金面上项目2项，担任Nanomaterials客座编委，并连续5年在中国科学技术大学讲授《固体物理学》。 

一、研究方向： 

1. N-极性面ScAlN/GaN异质结的外延生长与功率射频HEMT器件研究；

2. 高Sc组分ScAlN单晶薄膜材料的外延生长与压电/声电/铁电器件研究；

3. 稀土掺杂GaN高色纯度红光LED研究。

二、招聘岗位名称及职数：

科研助理/工程师岗位：2名

岗位要求：

1. 已获得电子信息、应用物理、微电子等相关学科学士、硕士学位；

2. 较好的文案写作能力和较强的计算机软件学习能力，能阅读英文文献和实验方案； 

3. 吃苦耐劳、身体素质好，热爱科研，有良好的团队协作能力和沟通能力，工作严谨认真负责，自学能力强。  

4. 办事认真踏实，有责任感，乐于助人、善于条理安排事务，具备一定的管理能力。

三、岗位待遇： 

用人方式：人事代理

薪酬待遇：聘用人员工资待遇按照中国科学院苏州纳米所规定执行。

福利：享受五险一金（含公积金）、职工餐补、暑期集中休假（带薪年休假）、补充医疗保险、工会福利、职工年度健康体检等。

四、应聘方式： 

申请者请将以下资料通过邮箱发送到szfan2020@sinano.ac.cn，邮件标题格式：“目前所在单位+姓名+应聘岗位”：

1. 个人简历（包含学习和工作经历、发表论文、参与项目等）；

2. 代表性论文（不超过3篇）以及其他可以证明本人研究能力及水平的资料。 

我们将以邮件或电话的方式通知初选通过的应聘者前来参加单位组织的面试。报名截止时间：招满为止。